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SK hynix Intros DRAM mobile LPDDR5T: T per Turbo con prestazioni superiori del 13%, 1,01 V con velocità di 9600 Mbps

SK hynix Intros DRAM mobile LPDDR5T: T per Turbo con prestazioni superiori del 13%, 1,01 V con velocità di 9600 Mbps

SK hynix ha annunciato lo sviluppo della DRAM LPDDR5T, che si dice sia la soluzione di memoria più veloce al mondo per dispositivi mobili.

SK hynix sviluppa LPDDR5T, la DRAM mobile più veloce al mondo con il 13% di prestazioni in più per aumentare l’efficienza

Comunicato stampa: SK hynix Inc. (o “l’azienda”, www.skhynix.com) ha annunciato oggi di aver sviluppato la DRAM mobile più veloce al mondo “LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)” e di aver fornito prodotti campione ai clienti.

Il nuovo prodotto, LPDDR5T, funziona a una velocità dati di 9,6 gigabit al secondo (Gbps), il 13% più veloce rispetto alla generazione precedente LPDDR5X* presentata a novembre 2022. Per evidenziare la velocità massima delle caratteristiche del prodotto, SK hynix ha aggiunto “Turbo” a la fine del nome standard LPDDR5.

* LPDDR: DRAM a basso consumo per dispositivi mobili, inclusi smartphone e tablet, finalizzata a ridurre al minimo il consumo energetico e dotata di funzionamento a bassa tensione. LPDDR5X DRAM è il prodotto di settima generazione, succedendo alla serie di tali che termina con 1, 2, 3, 4, 4X e 5. LPDDR5T è una versione di nuova concezione di SK hynix, che è un prodotto aggiornato della settima generazione (5X) prima dello sviluppo dell’8a generazione LPDDR6.

LPDDR5T, che opera nell’intervallo di bassissima tensione da 1,01 a 1,12 V stabilito dal JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), è un prodotto che non solo offre la massima velocità ma anche un bassissimo consumo energetico.

“L’azienda ha spinto la tecnologia a nuovi limiti in soli due mesi dopo l’introduzione sul mercato di LPDDR5X, DRAM mobile con specifiche da 8,5 Gbps, nel novembre 2022”, ha affermato SK hynix. “Consolideremo la nostra leadership nel mercato delle DRAM mobili fornendo prodotti con varie capacità di archiviazione che soddisfino le esigenze dei clienti”.

SK hynix ha affermato di aver fornito ai clienti campioni di un pacchetto multi-chip da 16 gigabyte (GB), che combina più chip LPDDR5T in un unico pacchetto. Il prodotto confezionato può elaborare 77 GB di dati al secondo, che equivalgono al trasferimento di quindici film FHD (Full-HD) in un secondo.

SK hynix prevede di iniziare la produzione di massa di LPDDR5T utilizzando 1anm, la quarta generazione della tecnologia a 10 nm, nella seconda metà dell’anno.

Nel frattempo, SK hynix ha, ancora una volta, integrato il processo HKMG (High-K Metal Gate)* nell’ultimo prodotto che ha consentito al nuovo prodotto di offrire le migliori prestazioni e si aspetta che LPDDR5T, che ha notevolmente ampliato il divario tecnologico, “per guidare il mercato prima dello sviluppo della prossima generazione di LPDDR6.”

* HKMG: un processo di nuova generazione che utilizza un materiale con un’elevata costante dielettrica (K) nella pellicola isolante all’interno dei transistor DRAM per evitare correnti di dispersione e migliorare la capacità. Riduce il consumo energetico aumentando la velocità. SK hynix è diventata la prima azienda del settore a integrare il processo nella DRAM mobile nel novembre 2022.

Il settore IT prevede una crescente domanda di chip di memoria con specifiche avanzate man mano che il mercato degli smartphone 5G si espande ulteriormente. In questa tendenza, SK hynix prevede che l’applicazione di LPDDR5T si espanda oltre gli smartphone all’intelligenza artificiale (AI), all’apprendimento automatico e alla realtà aumentata/virtuale (AR/VR).

“Con lo sviluppo di LPDDR5T, l’azienda ha soddisfatto la domanda dei clienti di prodotti ad altissime prestazioni”, ha dichiarato Sungsoo Ryu, Head of DRAM Product Planning presso SK hynix. “Continueremo a lavorare sullo sviluppo tecnologico per guidare il mercato dei semiconduttori di nuova generazione e diventare il punto di svolta nel mondo IT”.

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