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SK Hynix rilascerà chip NAND 3D a 300 strati di ottava generazione nei prossimi due anni
A febbraio, durante la 70a IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), SK Hynix ha sorpreso i partecipanti con i dettagli dei nuovi chip NAND 3D di ottava generazione che incorporano oltre trecento strati attivi. Il documento presentato alla conferenza da SK Hynix, intitolato “Memorie ad alta densità e interfaccia ad alta velocità”, descrive come l’azienda aumenterà le prestazioni delle unità a stato solido riducendo i costi sui singoli terabyte. La nuova NAND 3D debutterà sul mercato entro due anni e si prevede che supererà i record.
SK Hynix rivela lo sviluppo della memoria NAND 3D di ottava generazione con un throughput dei dati più veloce e livelli di archiviazione più elevati
La nuova memoria NAND 3D di ottava generazione offrirà una capacità di archiviazione di 1 TB (128 GB), presentando celle a triplo livello, una densità di bit di 20 Gb/mm², una dimensione di pagina di 16 KB, quattro piani e un’interfaccia di 2400 MT/s. Il throughput massimo dei dati raggiungerà i 194 MB/s, il diciotto percento in più rispetto alla precedente NAND 3D di settima generazione con 238 livelli e velocità di 164 MB/s. L’input e l’output accelerati contribuiranno al throughput dei dati e all’utilizzo dell’interfaccia PCIe 5.0 x4 o superiore.
I team di ricerca e sviluppo dell’azienda hanno esaminato cinque aree da implementare nella nuova tecnologia NAND 3D di ottava generazione:
- Funzione Triple-Verify Program (TPGM) che restringe la distribuzione della tensione di soglia della cella e riduce il tPROG (tempo di programmazione) del 10%, il che si traduce in prestazioni più elevate
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) – un’altra procedura per ridurre tPROG di circa il 2%
- Schema All-Pass Rising (APR) che riduce il tR (tempo di lettura) di circa il 2% e taglia il tempo di salita della word line
- Tecnica di stringa fittizia programmata (PDS) che riduce il tempo di assestamento della linea mondiale per tPROG e tR riducendo il carico di capacità del canale
- Funzionalità Plane-Level Read Retry (PLRR) che consente di modificare il livello di lettura di un piano senza terminarne altri, quindi emettendo immediatamente i successivi comandi di lettura e migliorando la qualità del servizio (QoS) e quindi le prestazioni di lettura
Poiché il nuovo prodotto di SK Hynix è ancora in fase di sviluppo, non è noto quando SK Hynix inizierà la produzione. Con l’annuncio alla conferenza ISSCC 2023, si potrebbe ipotizzare che l’azienda sia molto più vicina di quanto il pubblico si renda conto all’avvio della produzione di massa o parziale con i partner.
La società non ha rivelato una tempistica per la produzione della nuova generazione di 3D NAND. Tuttavia, gli analisti si aspettano di vedere un movimento da parte della società al più presto nel 2024, con l’anno successivo al più tardi. Gli unici problemi che bloccherebbero lo sviluppo sarebbero se le risorse diventassero non disponibili su vasta scala, il che interromperebbe tutta la produzione in tutta l’azienda e altri.
Fonti di notizie: Hardware di Tom, TechPowerUp, Blocchi e file
