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Samsung avvia la produzione di massa V-NAND di nona generazione: 33% più veloce a 3,2 Gbps, QLC nella seconda metà del 2024
Samsung ha annunciato la produzione in serie della memoria flash V-NAND di nona generazione che offre un incremento del 33% rispetto alla V-NAND di ottava generazione.
Inizia la produzione di massa V-NAND TCL di nona generazione da 1 TB di Samsung, QLC nella seconda metà del 2024, offre un aumento della velocità del 33%
L’annuncio era più o meno atteso poiché qualche settimana fa abbiamo riportato dell’inizio della produzione di massa della memoria flash V-NAND di nona generazione. Innanzitutto la NAND TCL entrerà in produzione (questo mese) mentre la produzione di massa della QLC è prevista nella seconda metà dell’anno. È altresì riportato che la V-NAND di nona generazione presenterà oltre 290 strati, ma ciò non è confermato ufficialmente dalla stessa Samsung.
Comunicato stampa: Samsung Electronics, leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, ha annunciato oggi di aver avviato la produzione di massa della sua NAND verticale (V-NAND) di nona generazione con celle a triplo livello (TLC) da un terabit (Tb), consolidando la sua leadership nel mercato Mercato flash NAND.
Con le celle di dimensioni più piccole del settore e lo stampo più sottile, Samsung ha migliorato la densità di bit della V-NAND di nona generazione di circa il 50% rispetto alla V-NAND di ottava generazione. Innovazioni come la prevenzione delle interferenze delle celle e l’estensione della vita delle celle sono state applicate per migliorare la qualità e l’affidabilità del prodotto, mentre l’eliminazione dei fori dei canali fittizi ha ridotto significativamente l’area planare delle celle di memoria.
Inoltre, l’avanzata tecnologia di “channelhole etching” di Samsung dimostra la leadership dell’azienda nelle capacità di processo. Questa tecnologia crea percorsi elettronici impilando gli strati dello stampo e massimizza la produttività di fabbricazione poiché consente la perforazione simultanea del numero più alto di strati di celle del settore in una struttura a doppia pila. Man mano che il numero di strati cellulari aumenta, la capacità di perforare un numero maggiore di cellule diventa essenziale, richiedendo tecniche di incisione più sofisticate.
La V-NAND di nona generazione è dotata dell’interfaccia flash NAND di nuova generazione, “Toggle 5.1”, che supporta velocità di input/output dei dati aumentate del 33% fino a 3,2 gigabit al secondo (Gbps). Insieme a questa nuova interfaccia, Samsung prevede di consolidare la propria posizione nel mercato degli SSD ad alte prestazioni espandendo il supporto per PCIe 5.0.
Anche il consumo energetico è stato migliorato del 10% grazie ai progressi nella progettazione a basso consumo, rispetto alla generazione precedente. Poiché la riduzione del consumo di energia e delle emissioni di carbonio diventa vitale per i clienti, si prevede che la V-NAND di nona generazione di Samsung sarà una soluzione ottimale per le applicazioni future. Samsung ha avviato questo mese la produzione di massa della V-NAND TLC di nona generazione da 1 TB, seguita dal modello QLC (quad-level cell) nella seconda metà di quest’anno.
